半导体二极管的主要参数_教学参考-查字典物理网

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半导体二极管的主要参数

查字典物理网 2012-12-29

正向直流电流I_F是在规定的使用条件下，在电阻性负荷的正弦半波整流电路中，允许连续通过二极管的最大工作电流的平均值。在二极管连续工作时，工作电流不应超过I_F，否则可能使管子因过热而损坏。一般锗管，I_F为数十毫安以下，而大功率硅管可达数百安。

反向直电流I_R是在室温下，加上规定的反向电压（如10、25、50、75或100伏）时的反向电流。I_R越小，二极管的品质越好。一般锗管，约数百微安；一般硅管，在1微安至数十微安。

反向峰值击穿电压U_BR是二极管能承受的最高反向电压，超过后将导致二极管被击穿。

反向工作峰值电压U_RWM是指二极管所允许施加的最大反向峰值电压，它一般为反向峰值击穿电压的一半或三分之二。一般锗管，U_RWM为数十状以下，而硅管可达数百伏。

最高工作频率f_M由于二级管的PN结具有电容，因而当使用的频率过高时，它的性能将变差。f_M是二极管能够正常使用时的最高工作频率。二极的结电容（极间电容）越小，f_M越高。

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