发光二极管（lightemittingdiode）物理知识大全
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2016-03-17
苏霍姆林斯基说：让学生变得聪明的办法，不是补课，不是增加作业量，而是阅读、阅读、再阅读。学生知识的获取、能力的提高、思想的启迪、情感的熏陶、品质的铸就很大程度上来源于阅读。我们应该重视它，欢迎阅读发光二极管(lightemittingdiode)物理知识大全。
发光二极管（lightemittingdiode）
发光二极管(lightemittingdiode)
用半导体材料制造的具有结型二极管结构的电致发光器件。目前广泛应用的发光二极管主要用Ⅲ-Ⅴ族二元或三元化合物制成。它主要利用pn结正向注入非平衡载流子的辐射复合而发光。除了pn结发光二极管，还有其他结构的，例如用不同禁带宽度的材料制成的异质结及双异质结结构，金属-半导体肖特基结构及金属-绝缘体-半导体(MIS)结构。Ⅱ-Ⅵ族化合物都是宽禁带直接带隙材料，是理想的发光二极管材料，但由于自补偿效应等原因，大部分不能制成两性导电的材料，因而尚无简单的方法获得pn结，这方面的研究还在继续。
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