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直接带隙半导体(directbandgapsemiconductor)
直接带隙半导带中导带极小值和价带极大值相应于相同的波矢K0,这种半导体在本征吸收过程中,产生电子的直接跃迁,跃迁过程中,除能量守恒外,还遵循动量守恒,跃迁前后,波矢K不变。能量大于禁带宽度Eg的光子均能被吸收而形成一个连续吸收带。Ⅲ-Ⅴ族的GaAs、InSb等及Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体均属直接带隙半导体。
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